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倒反天罡:DRAM 內存顆粒價格已明顯超越同容量模組價格

2025-11-13 09:15 IT之家
關鍵詞:DRAM內存

導讀:TrendForce 集邦咨詢表示,在極度罕見的市場環(huán)境下,DRAM 內存顆粒 (Die) 的報價已經(jīng)超越相同容量的內存條(模組,Module)報價,且價差巨大。

  11 月 12 日消息,TrendForce 集邦咨詢表示,在極度罕見的市場環(huán)境下,DRAM 內存顆粒 (Die) 的報價已經(jīng)超越相同容量的內存條(模組,Module)報價,且價差巨大。

  過去七天,DRAM 內存市場在惜售心態(tài)濃厚的氛圍下,DDR4 與 DDR5 的價格延續(xù)先前數(shù)周的上揚走勢,但由于市場中的供應量非常有限,因此成交量處于低水位。

  機構預計,未來短期內現(xiàn)貨市場的模組價格將快速上升,收斂與顆粒間的價差。主流顆粒 DDR4 1Gx8 3200MT/s 在本周的價格漲幅為 7.10%,由 11.071 美元上漲至 11.857 美元。

  而在 NAND 閃存晶圓部分,受合約市場強勢拉動,現(xiàn)貨市場氛圍進一步升溫,價格上漲幅度及報價頻率均顯著增加。由于中小型買家難以直接獲得原廠貨源,現(xiàn)貨市場采購的需求明顯增溫。然而,現(xiàn)貨供應同樣相對稀缺,持貨商普遍看好后市走勢,延后出貨、惜售情緒濃厚,導致成交量有限但價格持續(xù)上揚。

  本周 512Gb TLC 晶圓現(xiàn)貨價格上漲 17.07%,單價達 6.455 美元。機構預期短期內現(xiàn)貨市場仍將維持緊俏格局,價格上行動能有望延續(xù)至明年一季度;但如果合約價漲幅過快或終端需求延后,現(xiàn)貨熱度可能于 2026 年初略有降溫。